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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強型氮化鎵驅(qū)動IC舉例

氮化鎵驅(qū)動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動方案，供設(shè)計參考：

為何沒有P型 GaN HEMT?

硅有NMOS和PMOS兩種器件：NMOS中，載流子為電子，PMOS載流子為空穴然而目前還沒有商業(yè)化的P型GaN HEMT 首先，鎂...

高dv/dt造成的誤開通

高dv/dt會給寄生電容充電在此期間：CDS 、CGD 以及CGS 都被充電如果CGS充電后的電壓高過閾值電壓，器件可能...

氮化鎵功率器件I-V曲線高低溫特性

共源極電感(CSI)及di/dt問題: 仿真分析

功率器件可靠性澡盆曲線

氮化鎵單片集成vs.共封集成

盡管氮化鎵驅(qū)動單片集成能最大化減少寄生參數(shù)，硅IC+GaN共封裝的方式卻能實現(xiàn)更全面的驅(qū)動及控制功能。然而硅...

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