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氮化鎵單片集成vs.共封集成
Release date:2023-04-13 Writer: Category:Technical Article Views:502次

盡管氮化鎵驅(qū)動(dòng)單片集成能最大化減少寄生參數(shù),硅IC+GaN共封裝的方式卻能實(shí)現(xiàn)更全面的驅(qū)動(dòng)及控制功能。然而硅芯片的引入又限制了氮化鎵器件的最高工作溫度