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點(diǎn)擊展開

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

氮化鎵功率器件軟開關(guān)曲線

軟開關(guān)的Ids-Vds包絡(luò)線（B1軟開通，B2軟關(guān)斷）所包裹的Ids-Vds坐標(biāo)平面面積比硬開關(guān)的包絡(luò)線(A1硬關(guān)斷，A2硬開通）所...

65W超小型適配器發(fā)展史（2016年～2020年）

氮化鎵功率器件和超結(jié)MOS管的價(jià)格趨勢比較

如果我們把氮化鎵功率器件和超結(jié)MOS管做一個(gè)比較，會(huì)發(fā)現(xiàn)這兩者的價(jià)格在導(dǎo)通電阻較大的時(shí)候（>100毫歐）非常接近...

氮化鎵半橋門極驅(qū)動(dòng)（使用負(fù)壓關(guān)斷時(shí)需注意的）

氮化鎵半橋電路下管負(fù)壓關(guān)斷時(shí)候，下管反向?qū)〞r(shí)Vsd會(huì)比較大門極驅(qū)動(dòng)IC所使用的boostrap電路對boostrap電...

半橋架構(gòu)氮化鎵功率器件對驅(qū)動(dòng)器的CMTI的要求

半橋結(jié)構(gòu)的氮化鎵功率器件廣泛用于例如LLC等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。因?yàn)榈壒β势骷挠休^高的dv/dt變化率，對板橋模...

氮化鎵驅(qū)動(dòng)門極振鈴

開關(guān)速度快和門極電壓振鈴之間的取舍問題： RLC等效電路：門極電阻Rg小 ↓ ⇒ 開關(guān)速度快 ↑ &...

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