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半橋架構(gòu)氮化鎵功率器件對驅(qū)動器的CMTI的要求
時間:2023-04-13 作者: 分類:技術(shù)文章 瀏覽:1017次

半橋結(jié)構(gòu)的氮化鎵功率器件廣泛用于例如LLC等拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中。因為氮化鎵功率器件的有較高的dv/dt變化率,對板橋模塊的驅(qū)動IC往往會有更高的要求。CMTI(common mode transient immunity)是用于衡量驅(qū)動器對于瞬態(tài)噪音的抑制能力的參數(shù),它和驅(qū)動器自身的寄生電容有關(guān)。希望該寄生電容越小越好。一般而言使用數(shù)字隔離技術(shù)的驅(qū)動IC好過使用level-shift技術(shù)的驅(qū)動器。

如圖所示,當(dāng)中心點SW有一個較高的正向或者負(fù)向dv/dt時候,共模電流會流過上管驅(qū)動器的寄生電容兩端。這可能會造成控制器的邏輯狀態(tài)錯誤,導(dǎo)致誤觸發(fā)。