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點(diǎn)擊展開

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無(wú)橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡(jiǎn)介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

典型級(jí)聯(lián)氮化鎵內(nèi)部視圖

Ø級(jí)聯(lián)封裝較復(fù)雜，包含3個(gè)器件和陶瓷襯底 Ø可能會(huì)比E-mode成本更高 Ø級(jí)聯(lián)不適合低壓...

級(jí)聯(lián)型氮化鎵的匹配問(wèn)題

級(jí)聯(lián) D-GaN: 如何匹配 D-GaN 和 N-MOS V_m≈V_pdd?C_(ds,GaN)/(C_(ds,GaN)+C_(ds,MOS) ) Vm 太小: ...

簡(jiǎn)化的氮化鎵功率器件封裝步驟

氮化鎵功率器件不同于硅器件在于它的表面材料質(zhì)地較硬，在做劃片的時(shí)候，不能只是用傳統(tǒng)的鉆石刀，需要先做激光凹...

數(shù)字隔離技術(shù)介紹

磁隔離器基于芯片級(jí)變壓器電容隔離是在芯片頂部加上一個(gè)高介電常數(shù)的電容隔離阻擋層來(lái)實(shí)現(xiàn)

功率器件硬開通曲線分析

功率器件在硬開關(guān)開通過(guò)程分為三個(gè)階段: 第一階段：A-B，門極驅(qū)動(dòng)給Cgs充電，門極電壓從0到閾值電壓Vth，再到米勒...

功率器件硬關(guān)斷曲線分析

功率器件在硬開關(guān)關(guān)斷過(guò)程分為三個(gè)階段: 第一階段：D-C，門極驅(qū)動(dòng)給Cgs和Cgd放電，門極電壓從穩(wěn)態(tài)的門極電壓下降...

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