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技術(shù)文章
典型級聯(lián)氮化鎵內(nèi)部視圖
時間：2023-04-13
作者：
分類：技術(shù)文章
瀏覽：1024次
Ø
級聯(lián)封裝較復(fù)雜，包含
3
個器件和陶瓷襯底
Ø
可能會比
E-mode
成本更高
Ø
級聯(lián)不適合低壓氮化鎵器件（
<200V)
，因為來自低壓
MOS
管的
R
dson
在通態(tài)電阻中的占比會更高
Ø
就
600V
器件而言，
MOS
的
R
dson
占比小于
5%
Ø
就
100V
器件而言，
MOS
的
R
dson
占比可能超過
30%
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氮化鎵功率器件封裝級終測簡介
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級聯(lián)型氮化鎵的匹配問題
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