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芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導體功率器件的應用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機和數(shù)字電源應用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風口下的第三代半導體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽w行業(yè)奠定了堅實的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

GaN LLC LTSPICE 仿真

數(shù)字隔離技術(shù)比較

氮化鎵功率器件損耗分類

GaN單片集成前級驅(qū)動

氮化鎵前級驅(qū)動（Pre-driver占用不到5%的面積）與一個門極寬度為120mm的E-mode氮化鎵器件實現(xiàn)單片集成。好處： ...

GaN單片集成邏輯門電路

2018年，EPFL的研究人員使用氮化鎵D-mode + E-mode單片集成來實現(xiàn)簡單的邏輯門電路商業(yè)上氮化鎵數(shù)字電路的...

SiC對比Si材料優(yōu)勢 II

碳化硅是一種寬禁帶半導體，具備高熱導率，高擊穿場強和高電子報和漂移速率。其中寬禁帶和高熱導率的特性決定了...

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