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點(diǎn)擊展開

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

氮化鎵的高di/dt問題

某些封裝形式會帶來較大的源極漏電感共源極電感(CSI)是功率回路和驅(qū)動(dòng)回路共有的電感高di/dt會在CSI上...

氮化鎵功率器件擊穿電壓隨溫度變化

硅器件雪崩擊穿是可恢復(fù)的，并隨著溫度的升高而略有增加；氮化鎵器件的擊穿一般是硬擊穿，一旦擊穿，器件就會壞掉...

如何測試氮化鎵功率器件Qg

氮化鎵器件雙脈沖測試的測試方法（1）

雙脈沖測試是用來測試功率器件的動(dòng)態(tài)性能負(fù)載電感在第一個(gè)脈沖結(jié)束的時(shí)候建立需要測試的電流值，并在接下來...

氮化鎵器件雙脈沖測試的測試方法（2）

氮化鎵器件雙脈沖測試的測試方法（3）

雙脈沖測試中特別需要注意的是盡量減小測試環(huán)路的電感以減少Vds電壓過沖就電流檢測而言，電流探頭需要額外...

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