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氮化鎵功率器件擊穿電壓隨溫度變化
時間：2023-04-12 作者： 分類：技術文章 瀏覽：964次
  • 硅器件雪崩擊穿是可恢復的，并隨著溫度的升高而略有增加；
  • 氮化鎵器件的擊穿一般是硬擊穿，一旦擊穿，器件就會壞掉；
  • 氮化鎵擊穿比較類似介質(zhì)擊穿，擊穿電壓隨溫度升高而下降；