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點(diǎn)擊展開(kāi)

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無(wú)橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡(jiǎn)介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

高dv/dt造成的誤開(kāi)通

高dv/dt會(huì)給寄生電容充電在此期間：CDS 、CGD 以及CGS 都被充電如果CGS充電后的電壓高過(guò)閾值電壓，器件可能...

氮化鎵功率器件I-V曲線高低溫特性

共源極電感(CSI)及di/dt問(wèn)題: 仿真分析

功率器件可靠性澡盆曲線

氮化鎵單片集成vs.共封集成

盡管氮化鎵驅(qū)動(dòng)單片集成能最大化減少寄生參數(shù)，硅IC+GaN共封裝的方式卻能實(shí)現(xiàn)更全面的驅(qū)動(dòng)及控制功能。然而硅...

氮化鎵單片集成ESD保護(hù)電路舉例

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