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氮化鎵單片集成vs.共封集成
時(shí)間：2023-04-13 作者： 分類(lèi)：技術(shù)文章 瀏覽：957次

盡管氮化鎵驅(qū)動(dòng)單片集成能最大化減少寄生參數(shù)，硅IC+GaN共封裝的方式卻能實(shí)現(xiàn)更全面的驅(qū)動(dòng)及控制功能。然而硅芯片的引入又限制了氮化鎵器件的最高工作溫度