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點(diǎn)擊展開

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

氮化鎵市場趨勢及價(jià)格

左邊這張圖，雖然老了一些，但可以看個(gè)大概的趨勢。超結(jié)MOS管在幾年前大約有9億美元的市場。目前可能有十幾億美...

寬禁帶功率器件: 應(yīng)用取代

氮化鎵功率器件開爾文源極

氮化鎵功率器件需要有一個(gè)開爾文源極(KS)，最新的氮化鎵功率器件幾乎都會(huì)提供KS極。開爾文源極降低了共源極寄...

氮化鎵器件仿真舉例

電流崩塌效應(yīng)（動(dòng)態(tài)電阻）原理淺釋

為何沒有P型 GaN HEMT?

硅有NMOS和PMOS兩種器件：NMOS中，載流子為電子，PMOS載流子為空穴然而目前還沒有商業(yè)化的P型GaN HEMT 首先，鎂...

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