為何沒有P型 GaN HEMT?
時間：2023-04-13
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分類：技術(shù)文章
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- 硅有NMOS和PMOS兩種器件：NMOS中，載流子為電子，PMOS載流子為空穴
- 然而目前還沒有商業(yè)化的P型GaN HEMT
- 首先，鎂離子摻雜很困難
- 其次，氮化鎵中空穴的遷移率很低 (空穴：30 cm2/Vs vs. 電子：2000 cm2/Vs)
- 氮化鎵IC通常使用互補的增強型(E-mode)和耗盡型(D-mode)或者干脆完全使用增強型來實現(xiàn)，因此氮化鎵IC通常不太容易實現(xiàn)想要的功能
