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650V超結(jié)硅和氮化鎵的品質(zhì)因素比較
時(shí)間:2023-04-12 作者: 分類:技術(shù)文章 瀏覽:1141次

參考資料:梁曉軍:新型寬禁帶半導(dǎo)體器件的研究與探索