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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長(zhǎng)（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價(jià)比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對(duì)于能源電力的需求越來(lái)越大。從而對(duì)電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動(dòng)IC舉例

氮化鎵驅(qū)動(dòng) 廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動(dòng)電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時(shí) ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動(dòng)方案，供設(shè)計(jì)參考：

氮化鎵驅(qū)動(dòng)門極振鈴

開關(guān)速度快和門極電壓振鈴之間的取舍問(wèn)題： RLC等效電路：門極電阻Rg小 ↓ ⇒ 開關(guān)速度快 ↑ &...

芯干線氮化鎵和硅超結(jié)MOS比較：ZTC

硅器件存在零溫度系數(shù)點(diǎn)（Zero Temperature Coefficient，ZTC）。在這個(gè)點(diǎn)的下方為正溫度系數(shù)，漏極電流隨溫度增加...

氮化鎵應(yīng)用分類市場(chǎng)容量

我們根據(jù)法國(guó)Yole Delvelopment公司2021年的預(yù)測(cè)，做了一個(gè)氮化鎵應(yīng)用分類的大致預(yù)測(cè)。到2025年，氮化鎵功率器...

GaN在PD行業(yè)需求分析

預(yù)計(jì)到2025年，氮化鎵在PD的滲透率將超過(guò)60%，屆時(shí)全球氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)80億元人民幣數(shù)據(jù)及表格來(lái)源：2...

功率器件的歷史演變

氮化鎵功率器件的基本結(jié)構(gòu)

最左邊是我們常見的增強(qiáng)型，也就是常關(guān)型氮化鎵器件；中間的是耗盡型，也就是常開型氮化鎵器件，最右邊的硅的LDMOS...

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