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碳化硅，從材料到模塊

碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模...

如何運(yùn)用GaN才能做到最優(yōu)性價比

隨著科技的發(fā)展，人們生活水平的提高，人類生活對于能源電力的需求越來越大。從而對電源轉(zhuǎn)換效率、電源體積、電...

碳化硅在光伏中的應(yīng)用

商業(yè)化的增強(qiáng)型氮化鎵驅(qū)動IC舉例

氮化鎵驅(qū)動廠商單管 / 半橋上拉/下拉電流 VDD供電電壓門極驅(qū)動電壓上拉 / 下拉電阻傳輸延時 ...

芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動

以下為芯干線氮化鎵功率器件直接驅(qū)動方案，供設(shè)計參考：

氮化鎵器件雙脈沖測試的測試方法（3）

雙脈沖測試中特別需要注意的是盡量減小測試環(huán)路的電感以減少Vds電壓過沖就電流檢測而言，電流探頭需要額外...

動態(tài)電阻測試方法舉例

有多種方式測量動態(tài)電阻，這些方法都需要一個快速和準(zhǔn)確的鉗位電路這里所舉的例子，我們測量齊納二極管DZ的電...

氮化鎵漏源極漏電流隨溫度的變化

氮化鎵功率器件的漏源極漏電流隨著溫度的增加而增加。這里是650V的器件，在750V的時候的漏電流曲線

氮化鎵功率器件的仿真物理模型

一般而言有三類器件模型：物理級，準(zhǔn)物理級以及行為級模型物理級模型是基于氮化鎵器件結(jié)構(gòu)及參數(shù)，它的優(yōu)點(diǎn)是準(zhǔn)...

650V氮化鎵功率器件技術(shù)路線圖解

電流崩塌效應(yīng): 仿真分析

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