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點(diǎn)擊展開

芯干線最新電源方案推出，功放客戶紛至~~

芯干線科技新近研發(fā)的一款 100W 電源適配器，深受功放市場(chǎng)青睞，認(rèn)可度極高。這款電源的 PCBA 采用裸板（Open F...

SiC MOSFET器件在光伏逆變器的優(yōu)勢(shì)及應(yīng)用

隨著清潔能源的發(fā)展步伐日益加快，光伏儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域也呈現(xiàn)出新的活力。特別是隨著電動(dòng)汽車市場(chǎng)的蓬勃發(fā)展，功率...

GaN HEMT、SI MOSFET、SiC MOSFET三種半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用區(qū)別

GaN HEMT（氮化鎵高電子遷移率晶體管）、Si MOSFET（硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和SiC MOSFET（碳化硅金屬氧化...

瑞薩MCU做主控的三相5KW圖騰柱無橋PFC方案介紹

一、瑞薩全數(shù)字電源控制MCU簡(jiǎn)介瑞薩RA-T系列MCU是為電機(jī)和數(shù)字電源應(yīng)用而優(yōu)化的規(guī)格和產(chǎn)品系列，產(chǎn)品具有最...

千億風(fēng)口下的第三代半導(dǎo)體GaN功率器件

一、什么是GaN功率器件第一代半導(dǎo)體材料以硅（Si）和鍺（Ge）為代表，它們?yōu)榘雽?dǎo)體行業(yè)奠定了堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。隨著技術(shù)...

氮化鎵器件雙脈沖測(cè)試舉例

高電流工作情況下，芯片金屬線周圍塑封料會(huì)分解嗎？

功率器件如何標(biāo)稱連續(xù)電流

功率器件的標(biāo)稱連續(xù)電流通常使用上述公式來計(jì)算。然而計(jì)算所得的 Ids 僅為電流的上限。通常半導(dǎo)體器件提供...

氮化鎵DFN封裝散熱

和硅MOS管一樣，DFN封裝的氮化鎵器件通過底部散熱盤散熱。氮化鎵器件的散熱盤通常和器件的硅襯底（以及源極）接觸...

硅超結(jié) MOS Cds 非線性問題研究

氮化鎵通態(tài)電阻Rdson隨Vgs的變化

就650V E-mode氮化鎵器件而言，通態(tài)電阻Rdson隨著門極電壓增加而快速下降（從閾值電壓到2.5V左右）從2.5V到6V，通...

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