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碳化硅功率器件的制備，經(jīng)歷了從材料生長(zhǎng)（襯底材料）—>材料外延—>半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)/流片/晶圓加工—>封裝（分立，模塊）—>測(cè)試的多道工序和步驟。碳化硅不同于硅在于，它的材料成本占了最終成本比例很大（可能超過(guò)60%）。從物理層面來(lái)看， 目前在功率行業(yè)用的比較多的碳化硅材料是4H-SiC。碳化硅器件的空穴遷移率比電子低很多，這也是碳化硅PMOS或者IGBT器件很難實(shí)現(xiàn)的原因之一
