芯干線200W氮化鎵PD快充適配器應(yīng)用方案(產(chǎn)品編碼XPC200G)。該方案采用及PFC+LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。其中PFC部分采用的是一顆芯干線xGaN 650V E-mode氮化鎵功率器件XG6508B8及一顆芯干線XD6504D 650V/4A xSiC系列碳化硅二極管,主控芯片為安森美NCP1616A1。LLC部分采用的是兩顆芯干線xGaN 650V E-mode氮化鎵功率器件XG6508B8,LLC主控芯片為安森美 NCP13992AB。副邊同步整流是用的安森美NCP4306。副邊低壓MOS管采用的是恒泰柯 HGN046NE06AL。方案尺寸為80*65*25mm(板上高度20mm)。系統(tǒng)最高效率達(dá)到95%以上,并且已經(jīng)通過了EMI傳導(dǎo)和輻射測(cè)試,可以支持量產(chǎn)。
芯干線200W氮化鎵PD快充(XPC200G)應(yīng)用方案實(shí)物照片
芯干線200W氮化鎵PD快充(XPC200G)效率曲線圖
芯干線200W氮化鎵PD快充(XPC200G)EMI傳導(dǎo)及輻射測(cè)試結(jié)果