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碳化硅MOS缺陷密度
時間：2023-03-21 作者：芯干線科技 分類：技術(shù)文章 瀏覽：1007次
  • 近年來，碳化硅晶圓缺陷密度在不斷降低
  • 殺手級的缺陷已經(jīng)基本消除，然而普通級的缺陷仍然制約器件的性能發(fā)揮，尤其是雙極型的情況
  • 需要進(jìn)一步提升器件的長期可靠性，短路耐量及氧化層穩(wěn)定性等