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芯干線氮化鎵和硅超結(jié)MOS比較：ZTC
時(shí)間：2023-04-13 作者： 分類(lèi)：技術(shù)文章 瀏覽：924次
  • 硅器件存在零溫度系數(shù)點(diǎn)（Zero Temperature Coefficient，ZTC）。在這個(gè)點(diǎn)的下方為正溫度系數(shù)，漏極電流隨溫度增加而增加，可能造成局部熱點(diǎn)和器件失效。
  • 增強(qiáng)型的氮化鎵則沒(méi)有ZTC問(wèn)題