芯干線200W氮化鎵PD快充適配器應用方案（產(chǎn)品編碼XPC200G）。該方案采用及PFC+LLC拓撲結構。其中PFC部分采用的是一顆芯干線xGaN 650V E-mode氮化鎵功率器件XG6508B8及一顆芯干線XD6504D 650V/4A xSiC系列碳化硅二極管，主控芯片為安森美NCP1616A1。LLC部分采用的是兩顆芯干線xGaN 650V E-mode氮化鎵功率器件XG6508B8，LLC主控芯片為安森美 NCP13992AB。副邊同步整流是用的安森美NCP4306。副邊低壓MOS管采用的是恒泰柯 HGN046NE06AL。方案尺寸為80*65*25mm（板上高度20mm）。系統(tǒng)最高效率達到95%以上，并且已經(jīng)通過了EMI傳導和輻射測試，可以支持量產(chǎn)。
芯干線200W氮化鎵PD快充（XPC200G）應用方案實物照片
芯干線200W氮化鎵PD快充（XPC200G）效率曲線圖
芯干線200W氮化鎵PD快充（XPC200G）EMI傳導及輻射測試結果
