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芯片設(shè)計(jì)：芯片設(shè)計(jì)作為芯片制造的第一步起著舉足輕重的作用，決定了器件的結(jié)構(gòu)和性能。
功率器件專注于解決大電壓、大電流應(yīng)用環(huán)境下的電能轉(zhuǎn)換及電路控制問(wèn)題。針對(duì)不同應(yīng)用環(huán)境功率器件有著多種解決方案：以SiC MOSFET和GaN HEMT為例，SiC MOSFET 在中高壓（如1200V、1700V等）及中大功率（2000W-1MW）領(lǐng)域的表現(xiàn)尤為亮眼，而GaN HEMT更適合應(yīng)用在中小功率領(lǐng)域，可以通過(guò)提高頻率進(jìn)而提升功率密度。同時(shí)對(duì)于功率器件而言高功率、低損耗和低成本一直是核心研發(fā)目標(biāo)。工程師需要根據(jù)應(yīng)用需求，提出合理的設(shè)計(jì)方案，從器件原理出發(fā)，對(duì)器件結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化，從而有效提高器件性能，降低能量損耗，減少器件成本。
芯干線科技針對(duì)功率器件的應(yīng)用場(chǎng)景和性能需求，提供匹配的設(shè)計(jì)方案和解決方法。
晶圓制造：晶圓制造作為芯片制造中的核心步驟，決定了芯片是否能從概念轉(zhuǎn)化成實(shí)物。
功率器件制造過(guò)程大致包括材料生長(zhǎng)-外延制備-晶圓加工-CP測(cè)試。由于功率器件需要特殊的工藝制程，往往面臨較多的挑戰(zhàn)，比如GaN和SiC的外延制備和溝槽結(jié)構(gòu)刻蝕等亟待提升的工藝制程。晶圓加工過(guò)程中的工藝水平對(duì)器件性能有著直接影響，為此功率器件在制造過(guò)程中需要匹配現(xiàn)有的工藝進(jìn)行加工制造，嚴(yán)格把控工藝流程，通過(guò)設(shè)計(jì)與工藝的完美配合，完成芯片的制造。
芯干線科技聯(lián)合優(yōu)質(zhì)半導(dǎo)體行業(yè)代工廠制訂流片方案，縮短研發(fā)周期。
封裝測(cè)試：封裝測(cè)試作為芯片制造的收尾工作，決定了芯片出貨時(shí)的質(zhì)量水平。
封裝是為了讓芯片避免受到外界環(huán)境影響，提供芯片一個(gè)良好且穩(wěn)定的工作環(huán)境。因此杰出的封裝可以做到在最大程度上保持器件原有的性能。同時(shí)封裝在減少封裝后器件寄生參數(shù)（電感、電容等）和解決器件散熱問(wèn)題等都起著不可忽視的作用。最終測(cè)試通過(guò)對(duì)芯片參數(shù)的收集，驗(yàn)收芯片是否符合設(shè)計(jì)者和客戶的期待。
芯干線科技與國(guó)內(nèi)先進(jìn)封測(cè)廠合作，保障產(chǎn)品出貨率和可靠性。
