2025年第一季度，南京芯干線科技以第三代半導體技術為核心驅(qū)動力，在AI算力基礎設施、消費電子快充、高端音響電源及商用儲能領域連破壁壘，成功打入多個全球一線品牌供應鏈，用硬核技術實力詮釋“中國芯”的國際競爭力。這四大標志性成果不僅印證了公司在功率半導體領域的領先地位，更勾勒出其布局全球高端市場的戰(zhàn)略藍圖。
01
AI算力基建破局
打入全球一線Ai服務器供應鏈，開啟Ai算力電源新篇章
在人工智能算力需求呈指數(shù)級增長的背景下，芯干線自主研發(fā)的 700V增強型氮化鎵（GaN）功率器件及1200V碳化硅（SIC）MOSFET，經(jīng)過21年到24年近三年的從器件單體到系統(tǒng)集成等多輪多環(huán)境測試，順利通過某全球某一線AI服務器品牌系統(tǒng)商的可靠性驗證，預計在25年第二季度正式接單量產(chǎn)。
此次突破的核心優(yōu)勢在于“高頻高效 + 高可靠性”的技術組合，實現(xiàn)服務器電源模塊效率突破96%以上，同時將體積壓縮至硅基方案的1/3。這一特性對于部署超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心的科技巨頭而言至關重要：以10萬臺AI服務器集群為例，芯干線方案可節(jié)省約30%的散熱能耗，年運營成本降低超千萬元。
行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2025年全球AI服務器市場規(guī)模將達2980億美元，芯干線已憑借技術先發(fā)優(yōu)勢，與全球一線AI服務器供應鏈建立深度合作，有望在算力基建國產(chǎn)化浪潮中占據(jù)關鍵席位。
02
消費電子快充賽道領跑
全球一線手機品牌PD快充量產(chǎn)落地，定義全新充電體驗
03
高端音響電源革新
全球一線音響功放電源行業(yè)量產(chǎn)，為行業(yè)植入新活力
在專業(yè)音頻領域，芯干線針對高端音響功放開發(fā)的氮化鎵電源方案，已通過國際一線品牌的認證并實現(xiàn)量產(chǎn)。傳統(tǒng)硅基電源在驅(qū)動高保真音響時，因開關噪聲導致的THD+N（總諧波失真+噪聲）普遍高于0.5%，而芯干線方案憑借純凈電源輸出技術，將該指標降至0.08%，達到專業(yè)監(jiān)聽級水準。
氮化鎵（GaN）的高頻特性對音響音質(zhì)有積極影響。氮化鎵是一種寬帶隙半導體材料，具有快速的開關速度和低導通電阻，這使得它在D類音頻放大器中表現(xiàn)出色。具體來說，氮化鎵的高頻特性可以顯著減少開關過程中的能量損耗，從而提高放大器的效率。
此外，氮化鎵高開關頻率使得電源在轉(zhuǎn)換過程中產(chǎn)生的能量波動更為細微和迅速。這意味著其輸出的電流和電壓更加平穩(wěn)，大大減少了電磁噪音的產(chǎn)生，進一步提升音質(zhì)。
更值得關注的是，其1200W 功放電源模塊體積僅為傳統(tǒng)方案的1/5，適配高端音響 “輕量化+大功率” 的設計趨勢，已被多品牌應用于最新款桌面 Hi-Fi系統(tǒng)及車載音響。
數(shù)據(jù)顯示，2025年全球高端音響市場規(guī)模將達120億美元，芯干線作為少數(shù)掌握全鏈路GaN音頻電源方案的供應商，正加速收割國際品牌訂單，預計Q2音頻業(yè)務營收環(huán)比增長50%。
04
商用儲能定制化突圍
1200V碳化硅MOSFET量產(chǎn)，開啟高壓儲能新紀元
在新能源儲能領域，芯干線為國內(nèi)某頭部商用儲能企業(yè)定制的1200V全碳化硅模塊，（XS004HB120N6、XS003HB120N6）,于Q1正式投產(chǎn)。3mΩ超低導通電阻，在導通電阻與動態(tài)性能上均實現(xiàn)了相當大的提升。這一卓越的性能優(yōu)勢，不僅提高了能源轉(zhuǎn)換效率，還降低了系統(tǒng)的功耗，為用戶帶來了更高效、更可靠的使用體驗。無論是在電動汽車領域，還是其他新能源應用中，全SIC模塊技術平臺都展現(xiàn)出了強大的競爭力。
這標志著芯干線產(chǎn)品已滿足北美、歐洲等成熟市場的準入標準。隨著全球儲能裝機量預計2025年突破500GWh，公司正加速布局1700V高壓SIC模塊，目標覆蓋電網(wǎng)級儲能、新能源汽車電驅(qū)等千億級市場，形成“材料研發(fā)—器件制造—系統(tǒng)集成”的全產(chǎn)業(yè)鏈競爭力。
四大業(yè)務齊頭并進，源于芯干線獨特的“場景定義技術” 研發(fā)策略
垂直整合能力：三大實驗室兩大測試中心，建湖工廠專業(yè)化半導體封測基地，讓芯干線實現(xiàn)從晶圓設計到模塊封裝的全流程自主可控，關鍵工藝良率達99.2%以上；
客戶協(xié)同創(chuàng)新：與國際一線品牌建立聯(lián)合實驗室，針對AI服務器的液冷散熱、手機快充的低溫啟動等場景定制化開發(fā)，縮短技術落地周期；
專利壁壘構(gòu)建：累計申請GaN/SIC相關專利100+，其中 “高頻器件熱管理技術”“多芯片集成封裝”等核心專利已形成技術護城河。
展望2025，芯干線計劃將研發(fā)投入提升至營收的25%，重點突破車規(guī)級SIC MOSFET與800V高壓快充方案，目標在新能源汽車功率半導體市場實現(xiàn)從0到1的突破。
正如公司CEO在季度會議上所言：“我們不僅是器件供應商，更是能源效率革命的推動者。當AI算力、綠色能源與消費電子的技術需求在第三代半導體上交匯，芯干線正成為連接未來的‘功率橋梁’。”
南京芯干線2025年Q1的成績單，不僅是技術突破的注腳，更是中國半導體企業(yè)從“跟跑”到“并跑”的縮影。在AI算力爆發(fā)、碳中和目標驅(qū)動的雙重機遇下，公司用四個細分領域的領先，證明了功率半導體賽道的“中國方案”已具備定義全球標準的實力。
隨著Q2量產(chǎn)大幕的開啟，芯干線正以技術為槳，在全球高端市場的浪潮中全速航行，為“中國芯”的崛起書寫新的篇章。
關于芯干線
芯干線科技是一家由功率半導體資深海歸博士、電源行業(yè)市場精英和一群有創(chuàng)業(yè)夢想的年輕專業(yè)人士所創(chuàng)建寬禁帶功率器件原廠。2022年被評為規(guī)模以上企業(yè)，2023年國家級科技型中小企業(yè)、國家級高新技術企業(yè)，通過了ISO9001生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證。在2024年通過了IATF16949汽車級零部件生產(chǎn)質(zhì)量管理體系認證。
公司自成立以來，深耕于功率半導體Si MOS & IGBT、GaN HEMT、SiC MOS & SBD、IGBT 和 SiC Module等功率器件及模塊的研發(fā)和銷售。產(chǎn)品被廣泛應用于消費、光伏、儲能、汽車、Ai服務器、工業(yè)自動化等能源電力轉(zhuǎn)換與應用領域。
公司總部位于南京，分公司遍布深圳、蘇州、江蘇等國內(nèi)多地，并延伸至北美與臺灣地區(qū)，業(yè)務版圖不斷拓展中。
南京總部：025-51180705
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