為何GaN HEMT沒(méi)有雪崩擊穿？
時(shí)間：2023-04-13
作者：
分類：技術(shù)文章
瀏覽：1194次
- GaN有很高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)（硅的10倍）
- 就硅器件而言，高電場(chǎng)導(dǎo)致硅PN結(jié)出現(xiàn)雪崩擊穿
- GaN HEMT 更像瓷片電容擊穿，因?yàn)樗膿舸c(diǎn)常常位于器件上部的絕緣層中（電場(chǎng)最集中的地方）
- 與硅不同之處在于，氮化鎵一旦發(fā)生擊穿，就是永久性的
- 對(duì)氮化鎵而言，通常的設(shè)計(jì)余量會(huì)有30%以上，而硅器件僅有10%
