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• 氮化鎵前級驅(qū)動（Pre-driver占用不到5%的面積）與一個門極寬度為120mm的E-mode氮化鎵器件實現(xiàn)單片集成。
• 好處：

1. 減少驅(qū)動回路的寄生參數(shù)
2. 減少振鈴(Ringing)
3. 實現(xiàn)很短的上升(8.5ns)和下降沿(2.5ns)時間
4. 有利于提高開關(guān)頻率

需要更多更詳細(xì)的應(yīng)用來分析判斷單片集成或者共封集成的優(yōu)劣

Source: Kevin J. Chen, Oliver Häberlen, Alex Lidow, Chun lin Tsai, Tetsuzo Ueda, Yasuhiro Uemoto and Yifeng Wu, GaN-on-Si Power Technology:, Devices and Applications IEEE

TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 64, NO. 3, MARCH 2017